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英特爾研發(fā)新內(nèi)存架構(gòu) 傳輸速率增10倍
時(shí)間：2011年12月12日
日前英特爾展示目前正在研發(fā)的新一代內(nèi)存架構(gòu),稱為立體混合內(nèi)存(Hybrid Memory Cube),該架構(gòu)在邏輯層上方配置堆疊式的內(nèi)存,形成3D立體架構(gòu),可節(jié)省內(nèi)存與處理器之間數(shù)據(jù)傳輸時(shí),對(duì)I/O帶寬和電量的消耗。
英特爾副總裁Justin Rattner表示,Hybrid Memory Cube架構(gòu)使內(nèi)存功耗比最高規(guī)格的DDR3內(nèi)存提升7倍,與處理器之間的數(shù)據(jù)傳輸帶寬提升10倍,達(dá)到1Tb/s。英特爾實(shí)驗(yàn)室主要工程師Bryan Casper表示,1Tb/s為目前業(yè)界最高的內(nèi)存帶寬速度。
不過,這項(xiàng)內(nèi)存架構(gòu)目前還在研發(fā)階段,Justin Rattner預(yù)計(jì),在3~5年之后,才會(huì)對(duì)IT產(chǎn)業(yè)帶來重大的影響,甚至改變處理器與內(nèi)存之間的運(yùn)作模式,未來處理器不必再執(zhí)行運(yùn)算工作,只要發(fā)出指令,就能命令內(nèi)存來執(zhí)行。本文由服務(wù)器租用——海騰數(shù)據(jù)(http://m.lbzs888.com/)提供。
英特爾副總裁Justin Rattner表示,Hybrid Memory Cube架構(gòu)使內(nèi)存功耗比最高規(guī)格的DDR3內(nèi)存提升7倍,與處理器之間的數(shù)據(jù)傳輸帶寬提升10倍,達(dá)到1Tb/s。英特爾實(shí)驗(yàn)室主要工程師Bryan Casper表示,1Tb/s為目前業(yè)界最高的內(nèi)存帶寬速度。
不過,這項(xiàng)內(nèi)存架構(gòu)目前還在研發(fā)階段,Justin Rattner預(yù)計(jì),在3~5年之后,才會(huì)對(duì)IT產(chǎn)業(yè)帶來重大的影響,甚至改變處理器與內(nèi)存之間的運(yùn)作模式,未來處理器不必再執(zhí)行運(yùn)算工作,只要發(fā)出指令,就能命令內(nèi)存來執(zhí)行。本文由服務(wù)器租用——海騰數(shù)據(jù)(http://m.lbzs888.com/)提供。
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